InGaN/GaN量子阱中参量相关的拍频特征

摘要

量子拍频是测量能级微小差异的一种非常有效的手段,InGaN/GaN量子阱中阶带重、轻空穴态和导带电子态组成一个∧型三能级系统.本文通过计算得到了不同偏振方向入射光场的拍频谱线.偏振方向平行于层面的TE模有很好的振荡形式,而偏振方向垂直于层面的TM模则基本观察不到拍频产生.分析表明,这是由于重空穴态的跃迁只对平行于层面的光场极化有贡献引起的.改变InGaN/GaN量子阱阱宽和In的含量,拍频频率随阱宽减小而增大,随In的浓度增加而减小,显示出当量子阱阱宽增加时,重轻空穴子带能级间隔变小;当In的含量增加时,子带能级间隔随之增加.拍频振幅与量子阱宽的关系同时说明了阱宽减小时,带间跃迁更容易产生.