新型透明氧化物半导体薄膜In2O3:W的开发研究

摘要

采用直流磁控溅射法成功制备了掺钨氧化铟(IWO)高价态差透明氧化物半导体薄膜。初步研究表明薄膜结晶取向与薄膜的厚度有关,随着膜厚从60nm增加到290nm,最强衍射峰从(111)晶面转变为(100)晶面;考察了薄膜厚度及其颗粒度对薄膜光电特性的影响。得到IWO薄膜的最佳电阻率为2.7×10(-4)ohm-cm,可见光区域的平均透射率(含玻璃基底)高于80%;载流子迁移率高达49 cm 2V(-1)s(-1)。结果表明掺钨氧化铟薄膜是一种具有潜在应用价值的新型TCO材料。