摩尔比,采用均匀共沉淀法制备了Cu2'掺杂。Cu<'2+>掺杂α-Fe<,2>O<,3>纳米粉体,并以氧化铝陶瓷为基片利用厚膜工艺制得气敏元件。通过XRD、IR对样品的结构、活性等分析发现,Cu<'2+>以类质同像的方式代替了α-Fe<,2>O<,3>晶格中的Fe<'3+>,导致'/>
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刘海峰; 彭同江; 孙红娟;
中国电子学会;
四川省电子学会;
掺杂; 气敏材料; 纳米粉体;
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