SiGe非选择性图形外延技术的实现与测试

摘要

为解决SiGe BiCMOS高温工艺与低温工艺的兼容性问题,研究了一种基于MBE的SiGe非选择性图形外延技术,并进行了扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM),原子力显微镜(AFM)、X射线双晶衍射(XRD)与位错密度测试。测试结果表明,SiGe薄膜表面平均粗糙度为0.45nm,位错密度为0.3×103cm-2~1.2×103cm2,图形边界处薄膜生长均匀,阶梯结构层次明显,未出现位错堆积.该技术生长的SiGe薄膜满足SiGe BiCMOS制备要求。