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崔继锋; 叶志镇;
浙江大学硅材料国家重点实验室;
纳米科技中心;
硅基高频器件; SiGe; 外延技术; 常压化学气相沉积; 分子束外延; 锗硅材料;
机译:硅基OEIC的选择性外延SiGe / Si平面光电探测器
机译:关于用于77 K应用的外延Si基和SiGe基双极技术的轮廓设计和优化。二。电路性能问题
机译:关于用于77 K应用的外延Si基和SiGe基双极技术的轮廓设计和优化。一,晶体管直流设计注意事项
机译:利用SiGe:C的非选择性外延作为本征基和利用Poly-SiGe作为非本征基的自对准双多晶硅工艺
机译:蓝宝石和器件应用中固相外延生长的Si和SiGe中的残余应变和缺陷。
机译:硅外延Ge纳米点对硅基热电材料的声子传输控制
机译:SiGe溅射外延技术及其在SiGe器件中的应用
机译:开发出高功率,高频硅基(siGe)晶体管
机译:使用外延生长的硅碳(SiC)或硅锗(SiGe)改善器件性能的方法
机译:包括从硅体侧向外延生长SiGe源/漏区的场效应器件的制造方法
机译:使用二氧化硅回蚀的自对准非选择性薄外延薄锗基硅锗(SiGe)异质结双极晶体管BicMOS工艺
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