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悬浮栅结构ISFET动态特性的HSPICE仿真

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通过对ISFET敏感机理的理论分析,根据表面基模型,建立了悬浮栅结构ISFET器件的HSPICE动态行为模型,对ISFET器件的动态特性进行仿真得到时间响应曲线,并探讨了薄膜等效电阻、薄膜等效电容、互连线寄生电容和寄生电阻等因素与动态特性中延迟时间和迟滞等不理想因素的关系,为ISFET/REFET差分结构集成传感器芯片设计提供理论指导.

著录项

来源
《第十届全国敏感元件与传感器学术会议》|2007年|363-366|共4页
会议地点北京
作者
屈岚; 中国科学院; 汪祖民; 中国科学院; 韩泾鸿; 任振兴; 中国科学院; 夏善红;
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作者单位

中国仪器仪表学会;

中国电子学会;

中国航空学会;

中国生物医学工程学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类场效应器件;
关键词
离子敏场效应管; HSPICE; 动态特性; 悬浮栅结构;

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