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一种高精度可控CMOS带隙基准源的设计

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基于境外0.5um标准CMOS工艺,通过二级温度补偿和曲率校正,设计了一种高精度的带隙基准电路结构。借助电阻二次分压网络可产生0.5-3.5V的基准电压和可调的基准电流,使用Spectre进行仿真,仿真结果表明电路在-55-125℃范围内,最高温度系数约为10 ppm/℃,电源抑制比在85 dB以上,5V电源电压时总功耗约13mW,已应用于现场可编程模拟阵列(FPAA)设计中.

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来源
《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》|2007年|25-28|共4页
会议地点重庆
作者
张义忠; 刘伦才;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类场效应型;
关键词
基准源电路; 带隙基准原理; 温度控制; 仿真分析;
入库时间 2022-08-17 10:17:22

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