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张小勇; 陆艳杰; 刘鑫; 方针正; 楚建新;
中国电子科技集团公司;
真空电子技术编辑部;
AlN陶瓷; 活性金属化; Ag-Cu-Ti; 钎料;
机译:陶瓷衬底孔隙率和玻璃相含量通过活性MO-Mn法对金属化陶瓷微观结构和力学性能的影响
机译:结合了通过有机金属化学气相沉积法生长的GaN / AlN超晶格的无裂纹GaN / AlN分布式布拉格反射器
机译:通过摩擦表面处理过程沉积在AlN陶瓷基板上的钛金属化涂层的结构研究
机译:激光辐射诱发的AlN陶瓷直接选择性金属化
机译:先进材料的计算模型:在聚合物金属化,颜料分散和陶瓷开发中的应用。
机译:X射线光发射光谱法测量的非极性A面GaN / AlN和AlN / GaN异质结构的能带偏移
机译:Y2O3-AlN,Y2O3-Al2O3,R2O3-AlN的共晶混合物自发渗透制备SiC陶瓷的可行性研究Y2O3-AlN,Y2O3-Al2O3,R2O3-AlN自发渗透制备SiC陶瓷的可行性研究
机译:有机金属化学气相分解前体向alN的气相分解:(al(CH3)2NH2)3
机译:有机金属化学气相沉积法在高质量N面GaN,InT和AlN上异质生长的方法及其合金
机译:AlN陶瓷的金属化方法
机译:由于O离子导致AlN陶瓷材料的Cu金属化方式无效
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