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朱光耀; 顾书林; 朱顺明;
中国电子学会;
广州市科协;
氧化锌; 缓冲层; 表面形貌; 晶体质量; 表面粗糙度; 金属有机物; 化学汽相沉淀法;
机译:缓冲层退火对MOCVD在蓝宝石衬底上GaN生长的影响
机译:缓冲层退火对MOCVD的蓝宝石底板GaN生长的影响
机译:使用分析和高分辨率TEM研究通过MOCVD生长的InN层:结构,带隙,缓冲层的作用
机译:通过RF溅射在(0001)A1_2O_3和(111)Si衬底上沉积的ZnO膜的退火效应以及通过MOCVD在用作缓冲层的ZnO膜上生长的GaN层的退火效应
机译:具有MOCVD氧化锌缓冲层的铜铟二硒化物太阳能电池。
机译:以AlN / GaN超晶格为阻挡层的MOCVD法生长GaN HEMT中的2-DEG特性
机译:通过MOCVD研究在蓝宝石衬底上生长具有不同AlGaN缓冲层的AlInN HEMT结构
机译:通过氩离子激光退火在硅太阳能电池上辐射损坏mOCVD生长的磷化铟的功率恢复
机译:MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长单晶藻类层的研究。
机译:MOCVD生长的氮化物结构的缓冲层处理
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