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PIN二极管的微波非线性模型

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文章介绍了基于物理的PIN二极管微波非线性模型.通过理论分析和定量计算,该模型描述了Ⅰ区的电荷贮存效应及其导致的PIN二极管阻抗随频率的变化关系,从而实现包含PIN二极管Ⅰ区贮存电荷效应的仿真.在理想模型的基础上,该模型还考虑了重掺杂区和结区的复合效应,以及欧姆接触电阻、重掺杂区电阻和寄生电阻,最终形成修正后的完整模型.

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来源
《全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议》|2008年|215-218|共4页
会议地点北京
作者

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作者单位

中国电子学会;

清华大学;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN312.4;
关键词
非线性模型; 微波技术; PIN 二极管;
入库时间 2022-08-17 11:08:06

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