氧分压对低温制备In2O3∶Sn薄膜性能的影响

摘要

采用反应热蒸发法制备ITO薄膜,详细研究了氧分压对薄膜的晶体结构及光电性能的影响。研究表明,当氧分压较小时,在XRD谱中发现了对应于SnO(112)晶向的衍射峰,随着氧分压的增大,薄膜的晶体结构变得完整,性能得到了改善,获得最小的电阻率为5.3×10-4Ωcm;但是,当更多的氧进入薄膜后,一方面填充了氧空位,另一方面与Sn4+相结合形成复合中性粒子(Sn+In)2O″i,使得锡的掺杂作用减弱,薄膜的电阻率增大。同时根据Drude's理论,载流子浓度的减小使得薄膜在近红外区域的透过率增大。