基于UDM的纳米交叉结构器件伏安特性曲线模拟方法

摘要

本文通过对UDM模型原理的分析,提出了对于纳米交叉器件适合的拟合精度高,拟合公式相对比较简单的方法,并讨论了各种因素对拟合结果产生的影响。该方法能够有效地模拟纳米交叉结构的双稳态磁滞型伏安特性曲线。