基于0.18μm CMOS工艺的500MHz抗辐射加固锁相环

摘要

基于0.18μmCMOS工艺，设计并制造了一款宽频率范围的抗辐射加固锁相环电路。该电路的输入频率范围为2MHz～400MHz，输出频率范围为20MHz～500MHz。采用了抗辐射加固设计方法，使电路的抗总剂量能力大于500krad(Si)，单粒子闩锁阈值LET>84 MeV-cm2/mg，且具有很高的抗单粒子翻转能力。本文介绍了抗辐射加固锁相环设计方法及加固手段，并通过测试和试验对该电路的功能和性能进行了验证。