GaAs量子点的可控有序生长

摘要

在半导体衬底上制备有序排列的半导体量子点是提高半导体量子点器件性能的重要方法。通过优化生长条件，采用分子束外延生长技术在GaAs掩模图形衬底上定位生长了有序排列的GaAs量子点。实验发现：衬底掩模图形的结构特征以及分子束外延条件是影响量子点成核的重要因素。在孔径较小的掩膜图形衬底上，量子点较难形成；较低的生长速率和具有较大孔径的掩膜图形衬底，可以提高Ga原子的选择性，可以形成有序排列的量子点。