SOI基双线振动式MEMS陀螺仪的工艺研究

摘要

SOI-MEMS惯性器件是基于SOI(Silicon-on-insulator)衬底的MEMS惯性器件，具有寄生电容小、噪声低、信噪比高、灵敏度优越、体积小、易批量等优点，在国外已广泛应用并实现商用化，如美国AD公司、Tronic’s Microsystems公司等，主要应用于集成硅压力传感器、汽车牵引控制系统、摄像机稳定补偿系统、医用仪器等广泛领域。SOI材料结构的特殊性使得它在MEMS领域里具有简化工艺的作用：1.整体仍为单晶硅结构，应力小，抗机械疲劳性能好；2.SiO2薄膜功能多种多样，可用于自停止腐蚀层、信号隔离层、释放结构的牺牲层等；3.柔性化设计，量程随硅膜厚度的改变而改变，设计灵活；4.SOI与CMOS、IC工艺相通，易于电路集成。