掺杂元素离子半径对SnO2薄膜材料的光学性能影响

机译：锰掺杂对化学喷雾热解技术沉积SnO2薄膜电学和光学性能的影响

机译：氟掺杂对化学喷雾热解法制备的SnO2薄膜结构和光学性能的影响

机译：Sb，Zn掺杂对SnO2薄膜结构，电学和光学性能的影响

机译：沉积参数对磁控共溅射Al掺杂ZNO薄膜元素浓度，电学和光学性能的影响

机译：溶胶-凝胶基质中掺杂镧系元素的纳米粒子；改善的光学性能和新的机会。

机译：内在应力对非晶硅掺杂SnO2薄膜结构和光学性能的影响

机译：纳米结构铟掺杂SnO2薄膜的结构，形态和光学性能，热蒸发沉积沉积

机译：用于掺杂半导体薄膜的新型镧系元素前体

机译：用于原子层沉积的带有氧化物元素的氧化物薄膜部分的卤化物掺杂源，用于制造卤素掺杂源的方法，具有用于沉积的氧化物层的原子层材料的氧化物与薄膜的掺杂的方法用卤代氧掺杂氧化薄膜的方法

机译：SnO2薄膜用作氧化物半导体层的金属掺杂氧化物半导体薄膜晶体管

机译：原子层沉积法用卤化物元素部分掺杂氧化物薄膜的卤化物掺杂源，制造卤素掺杂源的方法，使用卤化物掺杂源部分掺杂氧化物的薄膜和原子层沉积膜的方法掺杂有方法