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Wang Yuanyuan; 王媛媛; Ma Ruixin; 马瑞新;
北京科技大学;
显示技术; 薄膜晶体管; 铟镓锌氧化物; 制备工艺;
机译:基于新型反向沟道蚀刻工艺流程的a-IGZO TFT,用于PEN箔上的电路和显示应用
机译:基于AZO蚀刻缓冲层的反向沟道蚀刻a-IGZO TFT技术
机译:具有直流和射频溅射沟道层的a-IGZO TFT的比较研究
机译:具有三层堆叠沟道层的a-IGZO TFT自热应力后I-V和C-V曲线之间的矛盾行为
机译:用于IGZO TFT的钛界面层铜门集成研究
机译:双栅三有源层沟道用于AMOLED像素电路的IGZO薄膜晶体管的设计与分析
机译:p-13:用于有源矩阵平板显示器的非晶IGZO TFT的光敏性
机译:多晶硅TFT采用先进显示技术
机译:显示装置,其中,一个TFT的沟道宽度的值除以一个TFT的沟道长度的值大于另一个TFT,并且对于一个TFT,像素电极和对电极之间的间隙比另一个TFT宽
机译:用于高性能IGZO TFT的固溶处理高质量Al2O3 / BN介电膜的制备方法及其IGZO TFT
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