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曾建平; 闫建昌; 丛培沛; 王军喜; 李晋闽;
中国电子学会;
AlGaN; LP-MOCVD; 分离限制异质结构; 光致发光; 电致发光;
机译:氯化物-氢化物气相外延生长的GaN / AlGaN异质结构紫外发光二极管的特性研究
机译:基于异质结构的AlGaN / GaN,由氯乙烯 - 氢化物外延生长紫外线发光二极管的劣化的外量子效率的研究
机译:紫外反射法测定GaN覆盖的AlGaN / GaN异质外延晶片的AlGaN层中的铝摩尔分数
机译:GaN外延层和GaN / AlGaN分离限制异质结构中近阈值增益机制的比较研究
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:利用异质外延AlGaN ∕ GaN裂纹进行GaN的原位外延外延
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管
机译:AlGaN / GaN由深紫外发光元件构成的无效AlGaN
机译:具有AlGaN / GaN异质结构和异质结构场效应晶体管的半导体衬底
机译:具有Algan / GAN异质结构和异质结构场效应晶体管的半导体基质
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