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丁伟; 施立群; 龙兴贵;
中国核学会;
北京核学会;
质子背散射; 钛膜; 氢同位素; 深度分布;
机译:(Ti,Al)N膜中残余应力的深度分布:测量与分析
机译:通过热电电离质谱法同时测定格陵兰冰中每克,Pb和Pb同位素的每克,Pb和Pb同位素
机译:使用U / Pb同位素,REE和Ti地热法在新西兰白垩纪分离点套件中锆石结晶的系统学
机译:偏振中子反射测量法测量超导铌膜中的磁场深度分布
机译:统计质量控制在加速器质谱法同位素测量中的应用
机译:掺有稀土元素Er3 +的碲化物玻璃70TeO2-5XO-10P2O5-10ZnO-5PbF2(X = MgBi2Ti)的正电子ni没寿命光谱法测量缺陷结构
机译:NaNbO3和Pb(Zr,Ti)O3薄膜的光学深度分布和相变研究
机译:直接测量异构体12 sup +产率10 sup +和33/2 sup +产率29/2 sup +过渡能量在sup 194 pb到sup 197 pb同位素
机译:确定放射性同位素活性深度分布的方法,包括通过测量放射性同位素的活性来确定被去除的层的活性,并将测量值和层厚度值插入到放射性分布中
机译:半导体器件包含Pb x Sub> Sr (1-x) Sub> [Zr,Ti] x Sub> Ru (1-x)电容器中的Sub> O 3 Sub>膜
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