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丁伟; 施立群; 龙兴贵;
1. 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 2. 复旦大学现代物理研究所;
质子背散射; 多次散射; 氢同位素;
机译:电场对固体溶液中相变的影响Pb_(0.995)La_(0.005)[Zr_(0.9-y)Sn_(0.1)Ti_y] _(0.99875)O_3和Pb_(0.9975)[Zr_(0.895-y)Sn_ )Ti_yNb_(0.005)] O_3
机译:高界面密度对PbZr0.2Ti0.8O3 / PbZr0.4Ti0.6O3外延多层膜铁电和结构性能的影响
机译:CoFe_2O_4 / Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3 2-2-型双层薄膜中Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3相变的原位X射线衍射分析
机译:使用傅里叶变换红外光谱法使用原位监测的MOCVD-PB(Zr,Ti)O_3膜中沉积行为的气相反应研究
机译:晶体缺陷对薄膜Pb(Zr,Ti)O3中畴壁运动的影响。
机译:在0.7Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3-0.3PbTiO3衬底上的PbZr0.95Ti0.05O3薄膜中的应变辅助电热效应
机译:化学溶液沉积的合成与表征多二二种Pb(Zr,Ti)O3 / CoFe2O4 / Pb(Zr,Ti)O3层叠膜的综合复合薄膜
机译:1 GeV质子弹性散射实验中exp 90 Zr和exp 208 pb的核物质分布
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微执行器中具有实用性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微致动器中具有实用性
机译:A站点和/或B站点修改的PBZRTIO3材料和(PB,SR,CA,BA,MG)(ZR,TI,NB,TA)O3膜可在铁电随机访问存储器和高性能薄膜微执行器中使用
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