垂直式HVPE系统制备GaN的数值模拟及优化

摘要

基于流体动力学原理对自行研制的垂直式HVPE系统制备GaN的表面沉积率进行了三维数值模拟。研究表明反应物的出气方式是GaN沉积率均匀性差的根本原因，并对反应室的出气口结构进行了改进。结果表明，在衬底上方合适的位置增加多路对称的Ga源管道可以使GaCl在衬底上方的分布比较均匀，改变了GaN沉积率中间过高而边缘过低的现象，提高了GaN表面沉积率大小的均匀性，为进一步优化反应室结构提供了依据。