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【2h】

Highly uniform growth of 2-inch GaN wafers with a multi-wafer HVPE system

机译：使用多晶片HVPE系统高度均匀地生长2英寸GaN晶片

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作者
Liu Nanliu; Wu Jiejun; Li Wenhui; Luo Ruihong; Tong Yuzhen; Zhang Guoyi;
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年度 2014
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1. Highly uniform growth of 2-inch GaN wafers with a multi-wafer HVPE system [J] . Nanliu Liu, Jiejun Wu, Wenhui Li, Journal of Crystal Growth . 2014,第feba15期

机译：使用多晶片HVPE系统高度均匀地生长2英寸GaN晶片
2. Design elements affecting wafer temperature uniformity in multi-wafer production MBE systems [J] . T.J. Rogers, W.A. Shelton, C. Conroy Journal of Crystal Growth . 2009,第7期

机译：影响多晶片生产MBE系统中晶片温度均匀性的设计元素
3. Growth of 2-Inch Wafer-Scale Uniform Vanadium Dioxide Thin Films Using Radio-Frequency Sputtering System and Characteristics of Their Metal-Insulator Transition [J] . Bae Ga Ram, Sohn Min Kyun, Kang Ji Hoon, Science of advanced materials . 2018,第8期

机译：射频溅射系统生长2英寸晶圆级均匀二氧化钒薄膜及其金属-绝缘体转变特征
4. Multi-wafer vpe growth of highly uniform SiC epitaxial layers [C] . M.J. OLoughlin, H.D. Nordby, A.A. Burk Symposium on Wide-Bandgap Semiconductors for High-Power, High-Frequency and High-Temperature Applications-1999 held April 5-8, 1999, San Francisco, California, U.S.A. . 1999

机译：高度均匀的SiC外延层的多晶片vpe生长
5. Improving wafer temperature uniformity for etch applications. [D] . Samir, Tugrul. 2003

机译：为蚀刻应用提高晶片温度均匀性。
6. Fabrication of 2-Inch Free-Standing GaN Substrate on Sapphire With a Combined Buffer Layer by HVPE [O] . Nanliu Liu, Yongjing Jiang, Jian Xiao, 2021

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7. Highly c-axis oriented growth of GaN film on sapphire (0001) by laser molecular beam epitaxy using HVPE grown GaN bulk target [O] . S. S. Kushvaha, M. Senthil Kumar, K. K. Maurya, 2013

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