基于扩散/外延技术高压大功率NPN开关晶体管技术研究

摘要

目前,制造高压N-/N+材料有三种方法：硅-硅键合技术、扩散减簿技术和外延技术。本文用扩散减簿技术和外延技术研制出了适于400V/500A的大功率晶体管又名巨型晶体管（GiantTransistor,简称GTR）的材料。通过工艺技术加工,研制出400V/500A的大功率晶体管。通过电参数测试：VceR≥400V,Veb0≥8V,在Ib=10A条件下测试,外延材料晶体管的Ic达到173A；扩散材料晶体管的Ic达到134A。