晶体硅太阳能电池PECVD工艺研究

摘要

采用PECVD法在晶体硅太阳能电池表面上镀上一层氮化硅减反射膜，通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SH4/NH3的比、总气体流量和时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀性及其钝化效果的影响，从而更好的指导及控制太阳能电池的镀膜过程，得到最佳的镀膜工艺。