GaN垂直结构LED提取效率的研究

摘要

从GaN垂直结构LED有源区发出的光能量可划分为三部分。从LED表面逃逸出的光能量;被GaN外延体材料吸收的光能量;被电极吸收的光能量，第一部部分占总能量的比重就是LED的提取效率。通过设计翩作具有Ni、Ag反射镜电极以及有无表面粗化结构的垂直结构LED，我们研究了LED中的光能量在这三种机翩中的分配关系。实验结果表明：表面粗化结构和高反射P电极能大大地提高GaN垂直结构LED的提取效率;结合了表面粗化结构和高夏射率P电极两种优化设计对提取效率的作用高于两者单独作用之和。