基于GaN材料的RGBW垂直结构LED芯片的制备方法、LED芯片和LED灯

摘要

本发明提供基于GaN材料的RGBW垂直结构LED芯片的制备方法、LED芯片和LED灯，制备方法包括：在衬底上制备蓝光发光组件；在蓝光发光组件上制备红光发光组件；在蓝光发光组件上制备绿光发光组件；形成白光发光组件；在蓝光发光组件、红光发光组件、绿光发光组件和白光发光组件上制备公共正电极；在蓝光发光组件、红光发光组件、绿光发光组件及白光发光组件上制备蓝光负电极、红光负电极、绿光负电极及白光负电极，以实现基于GaN材料的RGBW四色LED芯片的制备。本发明的有益效果有：1.在单芯片能产生多种颜色的光，荧光粉的用量较少；2.集成度提高，LED成本可以下降；3.色温调节更加灵活。