Research of enhancing the photon extraction efficiency of GaN-based LED via lateral surface roughening

摘要

GaN基材料的禁带宽度从0.78eV-6.2eV连续可调，可以用来制备从紫外到红外的全色系发光二极管(LED)。GaN基LED的出现，使得白光LED的制备成为可能，白光LED被称为第四代照明光源，人类即将进入固态照明时代。但是，对传统结构的GaN基LED而言，有源层内发出的光子会由于全反射而不能从器件内部出射出来，光提取效率受到很大的限制，严重影响LED的发光效率的提高，限制了白光LED的发展。为此，我们提出一种简单易行且行之有效的方法来提高GaN基LED的光提取效率。 本文通过对传统矩形腔结构GaN基LED的出光进行分析，结合GaN基LED的制备工艺，提出侧面粗化方法来提高其光提取效率。同...