脉冲电化学腐蚀制备n型多孔硅及其发光性能

摘要

采用脉冲电化学腐蚀法在n型单晶硅衬底上制备多孔硅（n-PS），通过扫描电镜（SEM）和室温500~700nm 范围内荧光光谱检测系统研究了脉冲频率、占空比及腐蚀时间对n-PS 的形成、结构形貌和可见光区室温光致发光特性（PL）的影响。结果表明：相比直流电化学腐蚀方法，脉冲腐蚀能获得孔径大小分布均匀且发光强度更高的多孔硅；随脉冲频率、占空比及腐蚀时间等腐蚀条件的变化，其发光强度及发光峰位均有明显改变，当脉冲腐蚀条件中脉冲频率10Hz、占空比 0.5、等效腐蚀时间30min时所制备的n型多孔硅的PL强度较高，发光性能较理想。