法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-06-06
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C25F3/12 申请公布日:20150429 申请日:20150116
发明专利申请公布后的视为撤回
2015-05-27
实质审查的生效 IPC(主分类):C25F3/12 申请日:20150116
实质审查的生效
2015-04-29
公开
公开
机译: 改性多孔硅膜的制备方法,根据该方法制备的改性多孔硅膜和使用该改性多孔硅膜制造的半导体器件
机译: 多孔烧结反应性氮化硅的预烧结硅混合颗粒的制备方法,用该方法制备的多孔烧结预颗粒,制造多孔烧结反应性硅氮化硅的方法
机译: 包含硅,钛和斜坡的氧化物的合成晶体和多孔材料的制备方法,基于合成晶体和多孔材料的催化剂。和基于包含硅,钛和砷化物的氧化物的合成晶体和多孔材料制备催化剂的方法