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图形化电化学腐蚀制备多孔硅方法

摘要

本发明公开了一种图形化电化学腐蚀制备多孔硅方法,固定的硅片将电解槽分为两个独立的部分,铂网作为电极材料,腐蚀液为氢氟酸和乙醇按一定配比形成的混合溶液。光强可调,可选特定波长连续可调以及具有图形化配件的光源照射硅片表面,该光源由控制器控制输出激光,再经由光学系统准直扩束,最终通过图形化配件输出照射到硅片表面。在满足n型掺杂硅片所需的空穴的同时更重要的是提供了图形化配件思路,虽然引入的光源条件作为参量使系统复制化,但是对于多孔硅层的形貌产生了积极影响,使形成的多孔硅层的形貌具有多样性。对于p型掺杂的硅片除了加快腐蚀速率之外也可实现相同的功能,并提供了一种双槽电化学腐蚀制备多孔硅层的新思路。

著录项

  • 公开/公告号CN104562171A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-04-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海大学;

    申请/专利号CN201510022390.7

  • 申请日2015-01-16

  • 分类号C25F3/12;

  • 代理机构上海上大专利事务所(普通合伙);

  • 代理人顾勇华

  • 地址 200444 上海市宝山区上大路99号

  • 入库时间 2023-12-18 08:20:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-06

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C25F3/12 申请公布日:20150429 申请日:20150116

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2015-05-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):C25F3/12 申请日:20150116

    实质审查的生效

  • 2015-04-29

    公开

    公开

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