Bi薄膜生长应力与自形成纳米线

摘要

薄膜生长过程中因小岛并接、晶粒长大、原子锤击以及基体与薄膜的热失配等效应，其内部往往残留较大的生长应力。采用磁控溅射方法，以间歇沉积工艺制备了Bi薄膜。基于多束激光曲率法（MOS）对薄膜沉积过程生长应力的研究表明，由于累积效应和弛豫行为，应力呈现振荡性变化。XRD、SEM及HRTEM 分析表明，制备的Bi薄膜为多晶结构，在其表面自组织形成直径在100nm左右的单晶Bi纳米线，将纳米线的形成归因于压应力驱使的结果。