射频分子束外延方法生长氮化铝薄膜材料研究

摘要

本文采用射频分子束外延(RF-MBE)方法生长了氮化铝薄膜，并定量表征了其缺陷情况。结果表明，保持富Al条件，并通过适当提高生长温度来促进材料结晶，有利于抑制刃型位错的产生，但会引入更多的氧杂质。在富Al条件下进行二维生长可同时增强Al和N原子的迁移，使螺型位错减少，并消除铝空位。但是，氮空位却是难以通过改变外延条件来彻底消除的。