Способы управления потоком активного азота при росте A3-нитридов методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией

摘要

Показана возможность линейного регулирования интенсивности потока активированного азота из ВЧ-активатора с индуктивной связью при росте нитридов третьей группы методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией. С этой целью предложено использовать модифицированную конструкцию выходной диафрагмы активатора и повышенные расходы азота (~ 5 sccm), что обеспечивает линейное изменение максимальной скорости роста A3N в пределах от 0.2 до 0.8 mum· h-1 при регулировании ВЧ-мощности активатора от 110 до 200 W соответственно. Сделан вывод о положительном эффекте использования возбужденных молекул азота для эпитаксиального роста слоев GaN и InN и продемонстрировано высокое структурное и оптическое качество этих слоев.