非晶态碲镉汞薄膜研究

摘要

在玻璃衬底上用射频磁控溅射技术进行了非晶态碲镉汞(α-HgCdTe，α-MCT)薄膜的低温生长，获得了射频磁控溅射生长α-MCT薄膜的“生长窗口”。利用X射线衍射(XRD)技术对所生长的薄膜进行分析研究，α-MCT薄膜的XRD衍射为典型的非晶衍射波包。原子力显微(AFM)表征结果表明本文所生长的非晶态碲镉汞薄膜表面平整，没有晶粒出现。rn 采用傅立叶红外透射光谱分析技术对非晶态碲镉汞薄膜进行了光学性能研究，在1.0μm~2.0μm范围内研究了薄膜的透射谱线，结果表明非晶体啊碲镉汞薄膜的光学带隙约0.83eV，吸收系数高达～8×104cm-1。在90℃～215℃范围内对非晶态碲镉汞薄膜进行了真空退火处理研究其晶化过程，其晶化温度在130℃～140℃之间。