EWT硅太阳电池背面PN区域界定的几种实现方法

摘要

隐蔽型发射极穿孔(EWT)硅太阳电池以其独特的器件结构、较低的成本及较高的电池效率而备受光伏市场的关注。实现EWT硅太阳电池的关键技术是背面PN区域的界定。本文概述了激光刻槽法、丝网印刷法、二次扩散法及化学镀敷法等目前国际上研究较多的几种实现背面PN区域界定的方法，对其实现原理、制造技术及发展概况做了系统介绍和比较，并在此基础上提出了需要改进的问题及未来的发展方向。