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刘伟; 郑远志; 武胜利; 韩小翠; 闫晓红;
中国照明学会;
中国照明电器协会;
等离子增强化学气袍淀积; SiO2薄膜; LED芯片; 沉积程序;
机译:PECVD生长的SiO2:Ge / SiO2多层膜中ge纳米晶体形成的TEM研究
机译:薄膜太阳能电池本征氢化非晶硅的沉积-通过RF-PECVD静态生长和通过VHF-PECVD动态生长的层的比较研究
机译:工艺参数对TEOS-PECVD生长的SiO2薄膜性能的影响
机译:PECVD生长SiO2薄膜工艺优化
机译:研究热生长和远端PECVD沉积的二氧化硅薄膜中的局部原子结构和热历史。
机译:使用超薄Pt催化剂通过PECVD在GaN LED外延片上生长类似于石墨烯的无转移薄膜用于透明电极应用
机译:生长沉积技术对pECVD和pECVD性能的影响 热siO2
机译:电子束诱导Inp中pECVD si3N4和siO2薄膜的损伤
机译:PECVD SiO2钝化IGZO和ZNO TFT的PECVD SiO2 IGZO ZNO TFT方法
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