机译:从甲基硅烷前体进行远程氢微波等离子体化学气相沉积。 1.沉积的a-SiC:H薄膜的生长机理和化学结构
机译:从甲基硅烷前体进行远程氢微波等离子体化学气相沉积。 2.沉积的a-SiC:H薄膜的表面形貌和性能
机译:三乙硅烷前体通过远程氢微波等离子体CVD形成的非晶氢化碳化硅(a-SiC:H)膜的生长机理和化学结构:第1部分
机译:使用甲基硅烷的远程血浆CVD的A-SiC:H生长的温度依赖性研究
机译:固态材料的分子前体:I.〜含M个三键M中心(M =钼和钨)的醇盐的热解。 II。〜远程等离子体增强化学气相沉积(RPECVD)设施的建设
机译:通过微波等离子体增强CVD的低电阻率Si的选择性生长和接触间隙填充
机译:通过远程氢微波等离子体CVD由三乙基硅烷前体形成的非晶氢化碳化硅(a-SiC:H)膜的生长机理和化学结构:第1部分
机译:通过远程等离子体增强化学气相沉积(远程pECVD)生长的非晶硅合金中缺陷产生的基础研究。年度分包合同报告,1990年9月1日 - 1991年8月31日