ECR-MOPECVD生长GaN薄膜及等离子体发射光谱分析

摘要

应用ECR-MOPECVD工艺,采用氮气和有机金属气源三甲基镓,在T=450℃条件下在a-Al<,2>O<,3>衬底上生长GaN薄膜。同时对等离子体发射光谱及GaN薄膜的x射线衍射进行了分析。