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NEUROMORPHIC DEVICE AND NEUROMORPHIC DEVICE ARRAY

机译:神经形态器件和神经形态器件阵列

摘要

A neuromorphic device according to this embodiment includes: a substrate, a source electrode and a drain electrode positioned on the substrate, a semiconductor layer positioned on the source electrode and the drain electrode, and a ferroelectric positioned on the semiconductor layer ) layer and a gate structure that is positioned on top of the ferroelectric and deformed according to pressure, and the neuromorphic device performs at least one of potential and depression according to an electrical signal provided to the provided gate structure. do.
机译:根据该实施例的神经形状装置包括:基板,源电极和位于基板上的漏极,定位在源电极和漏电极上的半导体层,以及位于半导体层上的铁电)层和栅极 根据压力定位在铁电并变形的结构,并且神经形式装置根据提供给提供给提供的栅极结构的电信号执行潜在和凹陷中的至少一个。 做。

著录项

  • 公开/公告号KR102344974B1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-12-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR1020200080241

  • 发明设计人 박철민;이규호;

    申请日2020-06-30

  • 分类号H01L29/51;G06N3/063;H01L27/1159;H01L29/16;H01L29/20;H01L29/24;H01L29/417;H01L51/05;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-24 23:05:17

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