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Thin film strain sensor material and thin film strain sensor

机译:薄膜应变传感器材料和薄膜应变传感器

摘要

To provide a thin film strain sensor material and a thin film strain sensor which have a gauge factor of nearly zero in a vertical arrangement and has a large gauge factor in a parallel arrangement.SOLUTION: The present invention relates to a thin film strain sensor material expressed by a general formula of CrM. A second element M is added in a composition ratio x of 0≤x≤30% by atoms so that the gauge factor will be in the range of 0±0.3 when the thin film of the material is arranged on a higher temperature side of the Neel temperature of the material in a vertical direction to the direction of strain of a measurement target. When the second element M is Ni, the composition ratio x is in the range of 5≤x≤22% by atoms, and when the second element M is Fe, the composition ratio x is in the range of 17≤x≤28% by atoms.SELECTED DRAWING: Figure 2
机译:为了提供薄膜应变传感器材料和薄膜应变传感器,薄膜应变传感器在垂直布置中具有近零的表格,并且具有平行排列的大规号因子。薄膜应变传感器材料技术领域本发明涉及薄膜应变传感器材料 由CRM的一般公式表达。 第二元素M以0≤x≤30%的组成比x加入0≤x≤30%,使得当材料的薄膜布置在更高的温度侧时,测量因子将在0±0.3的范围内。 材料在垂直方向上的材料温度与测量目标的应变方向。 当第二元素M是Ni时,组合物比x在5≤x≤22%的范围内,当第二元素M是Fe时,组合物比x在17≤x≤28%的范围内 通过原子。选择绘图:图2

著录项

  • 公开/公告号JP6940369B2

    专利类型

  • 公开/公告日2021-09-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 公益財団法人電磁材料研究所;

    申请/专利号JP20170201731

  • 发明设计人 丹羽 英二;

    申请日2017-10-18

  • 分类号G01B7/16;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-24 21:19:56

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