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Oxide semiconductor film, thin film transistor, oxide sintered body for sputtering target, sputtering target and electronic equipment

机译:氧化物半导体膜,薄膜晶体管,氧化物烧结体用于溅射靶,溅射靶和电子设备

摘要

Atomic ratios of In, Ga and Sn are as follows: 0.01 ≦ Ga / (In + Ga + Sn) ≦ 0.30 (1) 0.01 ≦ Sn / (In + Ga + Sn) ≦ 0.40 (2) 0.55 .Ltoreq.In / (In + Ga + Sn) .ltoreq.0.98 (3) and the rare earth element X in the following atomic ratio 0.03.ltoreq.X / (In + Ga + Sn + X) .ltoreq.0.25 (4) Oxide semiconductor film.
机译:In,Ga和Sn的原子比如下:0.01≤Ga/(In + Ga + Sn)≤0.30(1)0.01≤n/(In + Ga + Sn)≤0.40(2)0.55 .ltoreq.in / (In + Ga + Sn).ltoreq.0.98(3)和稀土元素x在以下原子比0.03.ltoreq.x /(In + Ga + Sn + x).ltoreq.0.25(4)氧化物半导体膜。

著录项

  • 公开/公告号JP6902090B2

    专利类型

  • 公开/公告日2021-07-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 出光興産株式会社;

    申请/专利号JP20190501265

  • 发明设计人 井上 一吉;柴田 雅敏;

    申请日2018-02-15

  • 分类号H01L21/363;H01L29/786;H01L29/80;C23C14/08;C23C14/34;C04B35/01;H01L27/146;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-24 19:59:45

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