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Memory device and burst read / write method thereof

机译:内存设备及其突发读/写法

摘要

Problem to be solved: to provide a memory device and a burst read / write method capable of increasing burst access efficiency by providing a plurality of page start addresses when burst read and burst write are started.The memory device includes a PSRAM and a controller.The controller is configured to provide an external command to the PSRAM.When the memory device starts a burst read operation or a burst write operation, the controller provides a plurality of page start addresses to the PSRAM, and the PSRAM is based on the order in which a plurality of page start addresses have been received Burst read or burst write operation is performed.Diagram
机译:要解决的问题:提供一种存储器设备和能够通过在启动突发读取和突发写入时提供多个页面开始地址来增加突发读/写方法。存储器设备包括PSRAM和控制器。控制器被配置为向PSRAM提供外部命令。当存储器设备启动突发读取操作或突发写入操作时,控制器向PSRAM提供多个页面开始地址,并且PSRAM基于已接收多个页面开始地址的顺序,其中执行了已接收到突发读取或突发写入操作.diagram

著录项

  • 公开/公告号JP6898498B1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-07-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 華邦電子股▲ふん▼有限公司;

    申请/专利号JP20200104374

  • 发明设计人 藤岡 伸也;

    申请日2020-06-17

  • 分类号G06F12/02;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-24 19:45:23

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