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POLYCRYSTALLINE SILICON PRODUCTION DEVICE AND POLYCRYSTALLINE SILICON PRODUCTION METHOD

机译:多晶硅生产装置和多晶硅生产方法

摘要

The present invention reduces contamination of polycrystalline silicon by using a corrosion-resistant valve. A polycrystalline silicon production device (1) is provided with: a reactor (10); and an exhaust valve (30) that controls opening/closing of an exhaust route (12) of exhaust gas to be exhausted from the reactor (10). The exhaust valve (30) has a valve body (31) and a reception seat (32). The valve body (31) and/or the reception seat (32) has a surface in contact with exhaust gas that is formed from a corrosion-resistant material.
机译:本发明通过使用耐腐蚀阀减少了多晶硅的污染。多晶硅生产装置(1)设有:反应器(10);和一个排气阀(30),其控制排气途径(12)的排气路径(12)以从反应器(10)排出。排气阀(30)具有阀体(31)和接收座(32)。阀体(31)和/或接收座(32)具有与耐腐蚀材料形成的废气接触的表面。

著录项

  • 公开/公告号WO2021100415A1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-05-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TOKUYAMA CORPORATION;

    申请/专利号WO2020JP40170

  • 发明设计人 HAKOMORI AKIRA;KAJITA TAKESHI;

    申请日2020-10-27

  • 分类号C01B33/035;F16K5/06;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-24 19:01:38

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