首页> 外国专利> GaAs1-xSbx NANOWIRES ON A GRAPHITIC SUBSTRATE

GaAs1-xSbx NANOWIRES ON A GRAPHITIC SUBSTRATE

机译:GaAs1-XSBX纳米线在石墨基材上

摘要

The presently disclosed subject matter relates generally to GaAs1−xSbx nanowires (NW) grown on a graphitic substrate, to methods of growing such nanowires, and to use of such nanowires in applications such as flexible near infrared photodetector.
机译:目前公开的主题一般涉及在石墨基材上生长的GaAs <亚> 1-x /亚>纳米线(NW),以生长这种纳米线的方法,并使用这样的方法纳米线在柔性近红外光电探测器等应用中。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号