首页> 外国专利> Laminated structure, semiconductor device and semiconductor system

Laminated structure, semiconductor device and semiconductor system

机译:层压结构,半导体器件和半导体系统

摘要

SubjectIt is an object of the present invention to provide a laminated structure having a crystalline oxide film having a low electrical resistivity and thermally stable and suitable for a semiconductor device.SolutionA multilayer structure having a substrate and a crystalline oxide film having a beta gas structure, wherein the substrate is a single crystal substrate comprising lithium tantalate as the main component, and the crystalline oxide film contains a dopant and has an electrical resistivity of 50 M.OMEGA. Cm or less.Diagram
机译:主题本发明的目的是提供一种层叠结构,层叠结构具有低电阻率和热稳态并且适合于半导体器件的晶体氧化物膜。解决方案具有基板的多层结构和具有β气体结构的结晶氧化物膜,其中基板是包含钽酸锂作为主要成分的单晶衬底,并且结晶氧化物膜含有掺杂剂并且电阻率为50米。欧米茄。 cm或更少。图表

著录项

  • 公开/公告号JP2021038117A

    专利类型

  • 公开/公告日2021-03-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 信越化学工業株式会社;

    申请/专利号JP20190160637

  • 发明设计人 坂爪 崇寛;橋上 洋;渡部 武紀;

    申请日2019-09-03

  • 分类号C30B29/16;C30B25/18;C23C16/40;C23C16/01;H01L21/368;H01L21/365;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-24 17:40:24

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号