法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-07-27
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/31 授权公告日:20070822 终止日期:20170709 申请日:20040709
专利权的终止
2007-08-22
授权
授权
2007-08-22
授权
授权
2006-04-26
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-04-26
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-02-09
公开
公开
2005-02-09
公开
公开
查看全部
机译: 制造半导体发光器件的方法,制造半导体器件的方法,制造器件的方法,生长氮化物III-V族III族-V族复合半导体层的方法,生长半导体层的方法以及生长层的方法
机译: 制造半导体发光器件的方法,制造半导体器件的方法,制造器件的方法,生长氮化物III-V族III族-V族复合半导体层的方法,生长半导体层的方法以及生长层的方法
机译: 制造半导体发光器件的方法,制造半导体器件的方法,制造器件的方法,生长氮化物III-V族III族-V族复合半导体层的方法,生长半导体层的方法以及生长层的方法