机译:formierverfahren表面可以永久改善半导体的电性能,特别是用于提高阻挡电阻和降低不对称正向电阻的半导体-晶体-导电系统
公开/公告号DE1000935B
专利类型
公开/公告日1957-01-17
原文格式PDF
申请/专利权人 SIEMENS AG;
申请/专利号DE1952S030276
申请日1952-09-17
分类号H01C7/00;H01L21/00;H01L21/268;H01L31/18;
国家 DE
入库时间 2022-08-23 22:27:52