首页> 外国专利> A semiconductor device with one or more p - n - by means of turns, preferably for switching purposes or for vibration generators, whose by means of a fracture characteristic a negative branch

A semiconductor device with one or more p - n - by means of turns, preferably for switching purposes or for vibration generators, whose by means of a fracture characteristic a negative branch

机译：一种具有一个或多个p-n-的半导体器件，优选地用于开关目的或用于振动发生器，该器件的断裂特性为负分支

页面导航

著录项
相似文献

摘要

机译：

著录项

公开/公告号DE1018560B

专利类型
公开/公告日1957-10-31

原文格式PDF
申请/专利权人 SIEMENS AG;
展开▼

申请/专利号DE1955S045231
发明设计人 SIEBERTZ DR KARL;
展开▼

申请日1955-08-19
分类号H01L21/00;H01L21/22;H01L29/00;H01L29/06;H01L29/167;H01L29/66;H01L29/72;H01L29/73;H01L29/86;H01L29/861;H01L29/866;H03K21/00;
国家 DE
入库时间 2022-08-23 22:22:27

相似文献

专利
外文文献
中文文献