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机译：具有部分负的电流-电压特性的半导体器件，特别是开关二极管
公开/公告号DE1079212B
专利类型
公开/公告日1960-04-07
原文格式PDF
申请/专利权人 SIEMENS AG;
申请/专利号DE1958S058791
发明设计人 GOETZELER DIPL-PHYS DR HERBERT;
申请日1958-06-30
分类号H01L29/00;H01L29/06;H01L29/73;H01L29/74;H01L29/86;H01L29/88;H01L31/10;H03K17/72;H04M1/74;
国家 DE
入库时间 2022-08-23 19:22:49
机译： 具有部分负电流-电压特性的双半导体二极管及其制造方法
机译： 具有部分负电流电压特性和具有四个区域的半导体的半导体组件及其制造方法
机译： 用于具有部分负电阻的开关的半导体器件-具有细长半导体的特性曲线
