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机译:一种低老化倾角的掺卤素半光电导体的制备方法
公开/公告号DE1170086B
专利类型
公开/公告日1964-05-14
原文格式PDF
申请/专利权人 DEUTSCHE AKADEMIE DER WISSENSCHAFTEN ZU BERLIN;
申请/专利号DE1960D032413
发明设计人 BOEER DR. KARL-WOLFGANG;BORCHARDT WOLFGANG;
申请日1960-01-23
分类号H01L31/08;H01L31/18;
国家 DE
入库时间 2022-08-23 16:33:05
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