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机译:一种制备单晶半导体体的硼掺杂区的方法
公开/公告号DE1114941B
专利类型
公开/公告日1961-10-12
原文格式PDF
申请/专利权人 SIEMENS AG;
申请/专利号DE1958S071692
发明设计人 SCHINK DR PHIL NAT NORBERT;
申请日1958-06-14
分类号C22C1/02;H01L21/00;H01L21/18;H01L21/228;H01L21/24;H01L29/167;
国家 DE
入库时间 2022-08-23 18:32:56
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